曹艳荣，女，博士，副教授，硕士生导师。现为英国威廉希尔公司电子封装系副教授，2004年毕业于英国威廉希尔公司电子科学与技术专业，2009年3月获得英国威廉希尔公司微电子学与固体电子学专业博士学位，2009年4月留教于英国威廉希尔公司，2011年晋升副教授，同年遴选为硕士生导师。

主要研究方向：

1. VLSI器件可靠性研究：包括超深亚微米器件物理与可靠性研究，纳米结构器件物理与可靠性研究，VLSI新结构、新机制、新型栅介质栅金属等器件及其可靠性与加固方法研究等；

2.新材料器件及其可靠性研究：包括GaN等宽禁带半导体材料电子器件结构、可靠性研究等；

3.电子封装及其可靠性研究：包括微波功率器件等封装及其可靠性研究等。

研究成果：

主持并参与了多项课题研究，包括国家自然科学基金重大项目、基础加强项目、国家自然科学基金、国家973计划、陕西省自然基金、航天合作等项目。在国内外知名期刊上发表论文四十余篇，均被SCI、EI检索；申请及获批发明专利多项；获陕西省科学技术奖一等奖一项。

主持及主要参与课题：

1.超薄栅介质在多应力条件下的退化机制研究，国家自然科学基金重大项目，分课题主持。

2.薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT及可靠性研究，国家自然科学基金，主持。

3.新结构FinFET器件总剂量辐射效应可靠性研究，陕西省自热基金，主持

4.新型低功耗器件与电路的可靠性基础研究，国家973项目，排名第二

5.基于屈曲的低压高速大变形微驱动器关键技术研究，国家自然科学基金，排名第三。

6.微波器件失效机理、失效模式和失效率研究，航天五院合作项目，主持。

7.微纳米尺寸CMOS器件可靠性研究，中央高校基本业务费，主持。

8.典型集成电路可靠性评价试验和关键版图识别，航天五院合作项目，主持。

9.宇航用固态微波功率器件结构分析，航天五院合作项目，主持。

10.超深亚微米PMOS器件NBTI效应研究，中央高校基本业务费，主持。